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Re: Transistor/Diode- Überhitzung und Überspannung
Hallo zusammen
Schon in Anbetracht der "winzigen" Bondierungsstellen und Kristallgrößen bei diskreten Halbleitern lassen sich die Folgen von thermischer Überhitzung gut nachvollziehen. Bei Überpannungen wird die Sperrfunktion im Kristall sowie des Dotierungbereiches durch zu hohe Feldstärken überschritten und das kristalline Gebilde zerstört. Das kann sich m. E. dann nur auf Fehler im Gerät beziehen. Wenn das Gehäuse keine Verschmelzung aufweist, dann sind die p-N-Übergänge durchgeschlagen und man misst zwischen den Transistorelektroden in beiden Richtungen Durchgang.
Re: Transistor/Diode- Überhitzung und Überspannung
Hallo Pluspol!
Also, meiner Erfahrung hat eine Überspannung einen Durchschlag der Sperrschicht zur Folge.
Dann ist aber kein Durchgang mehr zu messen, weder CE noch BC oder BE.
Während bei Überlastung durch zu viel Strom und dessen daraus folgender Verschmelzung des Kristalls ein Kurzschluß entsteht.
Eine Kombination von bereits eingetretener Überhitzung, einer Überspannung und daraus je nach Schaltung auch ein resultierender Überstrom läßt den Bauteil meist explodieren.
Re: Transistor/Diode- Überhitzung und Überspannung
Hallo Mani,
das stimmt schon, dass bei Kleinleistungstransistoren nach übermässigen Strom CB, oder BE 'offen' sind. In so einem Fall hat es (je nach Transistor-Typ) z.B den Bonddraht erwischt. Bei Leistungstransistoren sind die Drähte relativ dick, weshalb es hier meistens zu einer Verschmelzung an den P/N (N/P) Übergängen kommt.
Re: Transistor/Diode- Überhitzung und Überspannung
Hallo !
Passenderweise ist mein Doppelnetzteil jetzt noch mal draufgegangen bei Experimenten mit Schaltnetzteilen und das zum zweiten Mal.
Ich habe 2 Stück 2N3055 im Lastkreis und die haben KEINEN Durchgang mehr ! Bei einem maximalen Ausgangsstrom von 3 A sind wir noch weit weg von gut und böse und die Kühlkörper sind ausreichendst groß.
Also Überspannung von außen und isolationsreif geschlagen...
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