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Wumpus-Gollum-Forum von "Welt der Radios".
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Transistor/Diode- Überhitzung und Überspannung
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23.03.14 21:16
Mani

nicht registriert

23.03.14 21:16
Mani

nicht registriert

Transistor/Diode- Überhitzung und Überspannung

Hallo zusammen !

Was passiert im inneren eines Transistors/Diode bei Überhitzung oder Überspannung.

Was kann man messen ?


Mani

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23.03.14 21:26
Klaus 

WGF-Premiumnutzer

23.03.14 21:26
Klaus 

WGF-Premiumnutzer

Re: Transistor/Diode- Überhitzung und Überspannung

Hallo Mani,

es setzt ein Avalanche-Effekt (Lawinen-Effekt) ein, der zur Zerstörung des Bauteils führen kann.

h..p://de.wikipedia.org/wiki/Lawinendurchbruch

h..p://de.wikipedia.org/wiki/Zweiter_Durchbruch

Viele Grüße
Klaus

23.03.14 21:37
Mani

nicht registriert

23.03.14 21:37
Mani

nicht registriert

Re: Transistor/Diode- Überhitzung und Überspannung

Hallo Klaus !

Der Avalanche-Effekt wegen überschrittener Sperrspannung schlägt doch den Kristall durch,
woraufhin an BCE meist kein Widerstand zu messen ist.

Bei Überthemperatur oder Überstrom verschmilzt normalerweise der Si-Chip oder die Diode und
es folgt ein Kurzschluß durch Verschmelzung..

Das ist das, was mir kundig ist

Liebe Grüße

Mani

24.03.14 14:15
Pluspol 

WGF-Premiumnutzer

24.03.14 14:15
Pluspol 

WGF-Premiumnutzer

Re: Transistor/Diode- Überhitzung und Überspannung

Hallo zusammen

Schon in Anbetracht der "winzigen" Bondierungsstellen und Kristallgrößen bei diskreten Halbleitern lassen sich die Folgen von thermischer Überhitzung gut nachvollziehen. Bei Überpannungen wird die Sperrfunktion im Kristall sowie des Dotierungbereiches durch zu hohe Feldstärken überschritten und das kristalline Gebilde zerstört.
Das kann sich m. E. dann nur auf Fehler im Gerät beziehen. Wenn das Gehäuse keine Verschmelzung aufweist, dann sind die p-N-Übergänge durchgeschlagen und man misst zwischen den Transistorelektroden in beiden Richtungen Durchgang.

Freundliche Grüße von Dietmar

Zuletzt bearbeitet am 25.03.14 13:18

25.03.14 22:42
Mani

nicht registriert

25.03.14 22:42
Mani

nicht registriert

Re: Transistor/Diode- Überhitzung und Überspannung

Hallo Pluspol!

Also, meiner Erfahrung hat eine Überspannung einen Durchschlag der Sperrschicht zur Folge.

Dann ist aber kein Durchgang mehr zu messen, weder CE noch BC oder BE.

Während bei Überlastung durch zu viel Strom und dessen daraus folgender Verschmelzung des Kristalls
ein Kurzschluß entsteht.

Eine Kombination von bereits eingetretener Überhitzung, einer Überspannung und daraus je nach
Schaltung auch ein resultierender Überstrom läßt den Bauteil meist explodieren.


Liebe Grüsse

Mani

25.03.14 23:07
NorbertWerner 

WGF-Premiumnutzer

25.03.14 23:07
NorbertWerner 

WGF-Premiumnutzer

Re: Transistor/Diode- Überhitzung und Überspannung

Hallo Mani,

das stimmt schon, dass bei Kleinleistungstransistoren nach übermässigen Strom CB, oder BE 'offen' sind. In so einem Fall hat es (je nach Transistor-Typ) z.B den Bonddraht erwischt.
Bei Leistungstransistoren sind die Drähte relativ dick, weshalb es hier meistens zu einer Verschmelzung an den P/N (N/P) Übergängen kommt.

Gruss
Norbert

25.03.14 23:36
Mani

nicht registriert

25.03.14 23:36
Mani

nicht registriert

Re: Transistor/Diode- Überhitzung und Überspannung

Hallo Norbert!

Voll richtig, was Du über die Leistungstransistoren gesagt hast.

Daran hatte ich nicht gedacht.

Jeder hier hat gute Antworten gegeben !

Danke bis jetzt an Alle!


Mani

31.03.14 12:28
Mani

nicht registriert

31.03.14 12:28
Mani

nicht registriert

Re: Transistor/Diode- Überhitzung und Überspannung

Hallo !


Passenderweise ist mein Doppelnetzteil jetzt noch mal draufgegangen bei Experimenten
mit Schaltnetzteilen und das zum zweiten Mal.

Ich habe 2 Stück 2N3055 im Lastkreis und die haben KEINEN Durchgang mehr !
Bei einem maximalen Ausgangsstrom von 3 A sind wir noch weit weg von gut und böse
und die Kühlkörper sind ausreichendst groß.

Also Überspannung von außen und isolationsreif geschlagen...


Gruß

Mani

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